STY80NM60N

在追求极致能效的电力电子世界，如何让您的电源系统在高压大电流场景下依然保持冷静与高效？答案或许就藏在STY80NM60N这颗性能卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个开关器件，更是您构建可靠、高效功率转换方案的坚实基石。凭借其高达600V的漏源电压和74A的连续漏极电流能力，它天生就是为应对严苛的工业环境而生，让您的设计在面对电压尖峰和持续大负载时，依然稳如磐石。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至电焊机这些要求严苛的应用场景中，每一次开关动作都关乎系统整体的稳定与效率。STY80NM60N正是为此类挑战量身打造。它采用了ST引以为傲的MDmesh II技术，这项技术通过优化单元结构和工艺，显著降低了导通电阻与栅极电荷的乘积，这意味着更低的导通损耗和开关损耗。具体来看，在10V驱动电压下，其导通电阻低至35毫欧，而栅极电荷也控制在360nC，这种优异的性能平衡，直接转化为更低的温升和更高的系统效率，让您的终端产品在激烈的市场竞争中凭借出色的能效表现脱颖而出。

当您为关键项目选择核心功率器件时，可靠性、性能与供货支持缺一不可。这正是STY80NM60N的核心价值所在。它源自全球半导体巨头意法半导体，其MDmesh II系列久经市场验证，拥有卓越的品质口碑。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的成功应用案例，使其成为许多经典设计或特定需求场景下极具性价比的可靠选择。通过与值得信赖的ST代理合作，您不仅可以获取关于库存、替代方案的专业建议，更能确保所获产品的来源正宗与质量可靠。选择STY80NM60N，不仅是选择了一个高性能的MOSFET，更是选择了一个由顶尖技术和强大供应链支撑的解决方案，它将为您的电力电子设计注入强劲动力与持久信心。

• 型号:STY80NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:MAX247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 74A MAX247
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):74A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:360 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10100 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:447W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:MAX247
• 封装/外壳:TO-247-3
• STY80NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。