




TD351ID
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:8-SOIC
- 技术参数:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
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TD351ID参数详情:
在追求极致效率的电力电子世界,您是否曾为驱动电路的稳定性与响应速度而困扰?想象一下,一个能够在严苛工业环境中稳定输出,同时将开关损耗降至最低的解决方案,将如何重塑您的产品性能边界?今天,我们为您带来的TD351ID,正是意法半导体为高端驱动应用量身打造的一颗明星芯片,它不仅仅是一个组件,更是您系统可靠性与能效飞跃的关键引擎。
这款高性能单通道高端栅极驱动器,专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而生。其12V至26V的宽范围供电电压,赋予了它卓越的适应性,无论是工业电机驱动、不间断电源(UPS),还是太阳能逆变器和服务器电源,TD351ID都能游刃有余地融入其中,成为动力核心最坚实的守护者。它高达1.7A的拉电流和1.3A的灌电流峰值输出能力,确保了开关器件能够被迅速、有力地驱动,从而显著减少开关过渡时间,直接提升系统整体效率并降低热损耗。在-40°C到150°C的结温范围内稳定工作,意味着即使面对极端温差挑战,它依然能保持精准无误的驱动性能,让您的设备无惧任何环境考验。
选择TD351ID,就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与前瞻性设计。其非反相输入逻辑与优化的逻辑电压阈值(VIL 0.8V, VIH 4.2V),确保了与微控制器或DSP接口的兼容性与抗噪性,让系统设计更加简洁可靠。典型值仅100纳秒的快速上升/下降时间,是应对高频开关应用的利器,能有效抑制电磁干扰(EMI),提升产品电磁兼容性。当您通过值得信赖的ST中国代理获取这颗芯片时,您获得的不仅是产品本身,更是从技术支援到稳定供应链的全方位保障。采用紧凑的8-SOIC表面贴装封装,它能为您的PCB布局节省宝贵空间,助力打造更小巧、更强大的终端产品。让TD351ID的强大驱动力,成为您下一个创新项目中最值得信赖的基石。
- 型号:TD351ID
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:高端
- 通道类型:单路
- 驱动器数:1
- 栅极类型:IGBT,MOSFET(N 沟道)
- 电压 - 供电:12V ~ 26V
- 逻辑电压- VIL,VIH:0.8V,4.2V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.3A,1.7A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值(自举):-
- 上升/下降时间(典型值):100ns,100ns(最大)
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SOIC
- TD351ID的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















