




ULN2075B
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列,封装:16-PowerDIP(20x7.10)
- 技术参数:TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
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ULN2075B参数详情:
当您的下一个设计项目需要驱动多个继电器、步进电机或指示灯阵列时,您是否在为寻找一款既能简化电路布局、又能确保高可靠性的驱动解决方案而烦恼?现在,答案就在眼前。让我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的高效驱动核心ULN2075B。这款集成了4路NPN达林顿晶体管阵列的芯片,正是为简化您的多路高负载驱动而生,它将复杂的离散元件整合进一个紧凑的16-PowerDIP封装中,让您的设计从此告别繁琐,拥抱高效与整洁。
想象一下,在工业自动化控制柜中,一排排继电器需要精准无误地响应微控制器的指令;在智能家居的中央控制器里,各类电机和指示灯需要协同工作。这正是ULN2075B大显身手的舞台。其每路高达1.75A的集电极电流和80V的击穿电压,赋予了它直接驱动中小功率继电器、直流电机、螺线管以及LED灯组的强大能力。内置的达林顿结构提供了极高的电流增益,意味着您仅需来自MCU GPIO口的微小电流,就能轻松撬动安培级的大负载,极大地减轻了主控单元的压力,让系统运行更加稳定可靠。无论是-20°C到85°C的宽温工作范围,还是通孔封装带来的坚固物理特性,都确保了它在各种苛刻环境下依然能稳定服役。
选择ULN2075B,就是选择了一份经过市场验证的安心与效率。它不仅仅是一个晶体管阵列,更是一个提升整体系统设计等级的关键组件。其优异的饱和压降特性(典型值1.5V)意味着更低的导通损耗和发热,配合每路集成的续流二极管,为您省去了外部保护电路的设计烦恼,从源头上提升了系统的能效与安全性。当您致力于打造更紧凑、更可靠、更具成本效益的电子产品时,ULN2075B提供的正是这种“化繁为简”的核心价值。我们作为专业的ST一级代理,不仅确保您能获得原装正品和具有竞争力的价格,更能提供深度的技术支持和快捷的供货服务,让您的创新之旅毫无后顾之忧。立即将ULN2075B纳入您的物料清单,体验它为您下一个成功产品带来的强大驱动力。
- 型号:ULN2075B
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:16-PowerDIP(20x7.10)
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
- 描述:TRANS 4NPN DARL 80V 1.75A 16DIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:4 NPN 达林顿(双)
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):1.75A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):80V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):1.5V @ 2.25mA,1.5A
- 电流 - 集电极截止(最大值):-
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):-
- 功率 - 最大值:1W
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:16-PowerDIP(0.300,7.62mm)
- 供应商器件封装:16-PowerDIP(20x7.10)
- ULN2075B的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















