VNH7013XP-E

在追求极致效率与可靠性的电机控制领域，您是否还在为复杂的驱动电路、散热难题和系统稳定性而困扰？现在，一颗集强大性能与智能保护于一身的驱动芯片，正重新定义高效能电机控制的标准。它就是来自ST意法半导体的VNH7013XP-E。这款隶属于VIPower家族的半桥驱动器，以其高达40A的持续输出电流和72V的最大工作电压，为您的DC电机应用注入澎湃动力，同时将导通损耗降至最低，让能量转换前所未有的高效。

无论是工业自动化中的精密机械臂、物流分拣系统中的高速传送带，还是电动工具、泵阀控制等要求严苛的场景，VNH7013XP-E都能游刃有余。其极低的导通电阻（典型值低至5.7毫欧）意味着更少的热量产生和更高的整体效率，让设备在长时间高负荷运行下依然保持冷静与稳定。宽广的工作温度范围（-40°C至175°C结温）使其无惧严寒酷暑，在各种恶劣环境下都能可靠工作，极大地拓展了产品的应用边界和耐用性。

选择VNH7013XP-E，就是选择了一份从容与安心。它不仅提供了强大的驱动能力，更内置了至关重要的超温保护功能，能主动监测芯片温度并在异常时采取保护措施，有效防止因过热导致的系统故障甚至损坏，大幅提升了终端产品的安全性和使用寿命。其简洁的逻辑接口让控制变得异常轻松，显著简化了您的系统设计，加速产品上市进程。当您需要这样一颗高性能、高可靠的驱动芯片时，请务必通过正规的ST授权代理进行采购，以确保获得原装正品和全面的技术支持，为您的创新项目保驾护航。

• 型号:VNH7013XP-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSSO-36 TP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 4N-CH 40A 36PWRSSO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:4 N 沟道（半桥）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:36V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 5A，10V，5.7 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23nC @ 10V，36nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250pF @ 25V，1836pF @ 25V
• 功率 - 最大值:-
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:36-PowerBFSOP（0.295，7.50mm 宽）
• 供应商器件封装:PowerSSO-36 TP
• VNH7013XP-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。