1N5711

在追求极致信号完整性的射频世界里，您是否还在为高频应用中的微小损耗和响应延迟而烦恼？想象一下，一个关键信号的处理环节，因为二极管的速度和效率不足，导致整个系统的性能打了折扣。这正是1N5711肖特基二极管大显身手的舞台。它不仅仅是一个元件，更是您射频电路设计中提升速度、降低损耗、确保稳定性的秘密武器。凭借其超低的正向压降和极快的开关速度，它能瞬间捕捉并处理高频信号，让您的设计从“能用”跃升到“卓越”。

无论是精密通信设备中的混频与检波，还是高速数据采集系统中的峰值检测与采样保持，甚至是雷达接收前端的信号调理，1N5711都能以其卓越的射频性能提供可靠保障。它的工作温度范围宽达-65°C至200°C，确保在严苛环境下依然稳定如一；仅2pF的极低结电容，最大限度地减少了高频信号下的寄生效应，让信号“纯净”通过。这意味着您的产品可以适应更广泛的应用场景，从工业测温到车载通信，性能始终在线。

选择1N5711，就是选择了一份来自意法半导体（STMicroelectronics）的品质承诺。其经典的DO-35轴向封装，不仅便于安装和焊接，更经过了市场的长期验证。当您需要稳定可靠的货源与专业的技术支持时，请认准我们的ST授权代理身份，我们将为您提供原装正品与一站式服务。让这颗高效、可靠的肖特基二极管，成为您下一个成功项目中不可或缺的“速度引擎”，助您轻松攻克高频电路设计挑战，赢得市场竞争的先机。

• 型号:1N5711
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DO-35
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
• 描述:RF DIODE SCHOTTKY 70V 430MW DO35
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 二极管类型:肖特基 - 单
• 电压 - 峰值反向（最大值）:70V
• 电流 - 最大值:15 mA
• 不同Vr、F 时电容:2pF @ 0V，1MHz
• 不同If、F 时电阻:-
• 功率耗散（最大值）:430 mW
• 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向
• 供应商器件封装:DO-35
• 1N5711的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。