STH320N4F6-6

在追求极致效率的电力电子世界，您是否曾因功率损耗而困扰，或因散热问题限制了系统性能的突破？今天，让我们聚焦一颗能彻底改变游戏规则的功率器件STH320N4F6-6。它不仅仅是一个MOSFET，更是意法半导体尖端DeepGATE与STripFET VI技术的结晶，专为应对最严苛的能效挑战而生。想象一下，将高达200A的连续电流掌控于方寸之间，同时导通电阻低至惊人的1.3毫欧，这意味着在您的大电流应用中，更多的电能被高效转换，更少的热量被无谓浪费，系统整体能效和可靠性将获得质的飞跃。

这颗芯片的强大性能，使其成为众多高要求应用的理想心脏。在新能源汽车的电机驱动与车载充电系统中，它能确保动力澎湃输出与快速充电的稳定可靠；在服务器电源和工业变频器里，其卓越的开关特性与低损耗，助力设备7x24小时不间断高效运行；即便在空间紧凑的通信基站电源模块中，其H2PAK-6封装也能在提供强大功率处理能力的同时，优化布局与散热设计。从-55°C到175°C的宽广工作结温范围，更是赋予了它无惧严寒酷暑的坚韧品质，完全符合汽车级AEC-Q101标准，让您的产品从容应对各种极端环境。

选择STH320N4F6-6，就是选择了一份面向未来的技术保障。它集高电流能力、超低导通电阻、快速开关性能与卓越的散热能力于一身，直接为您带来更小的系统体积、更低的运营成本和更强的市场竞争力。当您需要构建下一代高效、紧凑、可靠的功率系统时，这颗芯片就是您不容错过的关键拼图。我们作为专业的ST芯片代理，不仅提供这颗卓越的芯片，更愿成为您技术道路上的合作伙伴，为您提供从选型到应用的全方位支持，共同将创新的电力电子解决方案变为现实。

• 型号:STH320N4F6-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:240 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13800 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH320N4F6-6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。