STL25N15F3

在追求极致能效与紧凑设计的今天，您的电源转换或电机驱动方案是否还在为功率器件的尺寸、损耗和可靠性而妥协？让我们为您介绍一款能够完美平衡性能与空间的解决方案STL25N15F3。这款来自意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的电气特性和创新的封装技术，正在重新定义中压大电流应用的设计可能。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动器或高频DC-DC转换器中，一颗芯片需要承载高达25A的连续电流，并承受150V的电压应力，同时还要将导通损耗降至最低。STL25N15F3正是为此而生。它采用了先进的STripFET III技术，在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至惊人的57毫欧，这意味着更少的热量产生和更高的整体效率。无论是驱动无刷直流电机实现平稳启停，还是在开关电源中作为核心开关元件进行高速切换，它都能确保能量以最直接、最纯净的方式传递，让您的系统运行得更冷静、更持久。

选择STL25N15F3，您获得的不仅仅是一个参数表上的优势。其独特的PowerFlat（5x6）封装，在提供强大散热能力（最大耗散功率80W）的同时，将占板面积压缩到极致，为您的产品小型化、高密度布局铺平道路。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，显著降低了驱动电路的负担，让开关速度更快，开关损耗更小，轻松应对数百千赫兹甚至更高频率的挑战。从-55°C到150°C的宽广结温工作范围，赋予了它无与伦比的环境适应性和可靠性，确保您的产品在严苛条件下依然稳定如山。

我们理解，为经典设计寻找可靠且性能优异的元器件至关重要。尽管该型号已处于停产状态，但通过值得信赖的ST代理渠道，您依然可以获取高质量的库存或替代方案咨询，确保现有项目的顺利维护与生产。让STL25N15F3所代表的的高效、紧凑与可靠基因，继续为您的创新注入强劲动力。

• 型号:STL25N15F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 25A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:57 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL25N15F3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。