2ST501T

当您的下一个设计项目需要驱动高功率负载，却又受限于紧凑的空间和严格的成本控制时，您是否在寻找一颗既能扛起大梁又稳定可靠的“心脏”？答案就在这里。我们隆重推出意法半导体的明星功率器件2ST501T，这颗集高电压、大电流与卓越效率于一身的NPN达林顿晶体管，正是为破解您的工程难题而生。它不仅仅是一个元件，更是您产品性能飞跃、可靠性倍增的关键引擎。

想象一下，在工业自动化产线上，电机需要瞬间启动并平稳运行；在家用电器如高端吸尘器或空气净化器中，马达需要强劲而安静的动力；在开关电源和逆变器领域，系统需要高效的能量转换与精准的控制。2ST501T凭借其高达350V的集射极击穿电压和4A的持续集电极电流能力，轻松驾驭这些严苛场景。其达林顿结构带来的超高电流增益（最小2000），意味着您可以用极小的驱动电流撬动庞大的输出功率，极大地简化了前级驱动电路设计，让您的系统整体方案更简洁、更高效。无论是面对突发的电流冲击，还是长期的高负荷运行，它都能稳如磐石，确保您的终端产品拥有令人信赖的持久表现。

选择2ST501T，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。TO-220的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能与便捷的安装工艺，其高达100W的功率处理能力和150°C的结温工作范围，为您的设计提供了充裕的安全余量。更低的饱和压降（典型值1.5V）意味着更少的能量以热量的形式耗散，直接提升了整机效率并降低了散热需求。这颗芯片是经过市场长期验证的成熟选择，拥有极高的性价比。如果您正在寻找可靠的ST芯片代理合作伙伴，以获得稳定供货与专业的技术支持，那么搭载2ST501T的方案无疑是您迈向成功最稳健、最明智的一步。让它为您的创意注入强大动力，共同定义下一代高性能电子产品的标准。

• 型号:2ST501T
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN DARL 350V 4A TO-220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:4 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:350 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.5V @ 2mA，2A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:2000 @ 2A，2V
• 功率 - 最大值:100 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-220-3
• 供应商器件封装:TO-220
• 2ST501T的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。