A1C15S12M3

想象一下，您的下一代工业电机驱动或变频器产品，能否在保持紧凑体积的同时，实现更低的损耗、更高的可靠性，并轻松应对严苛的电磁环境？这正是A1C15S12M3为您带来的核心价值。作为ST意法半导体基于先进沟槽型场截止技术打造的IGBT模块，它不仅仅是一个功率开关，更是您提升系统能效与功率密度的关键引擎。其1200V的耐压与15A的电流能力，为您的设计提供了坚固的安全边际，而集成的三相全桥与制动单元，则让复杂的拓扑设计变得前所未有的简洁。

无论是伺服驱动器、变频空调、工业UPS，还是新兴的新能源汽车车载充电机，这颗芯片都能完美融入。它内置的NTC热敏电阻，如同一位时刻在线的温度哨兵，让您对模块的工作状态了如指掌，实现精准的热管理，确保系统在-40°C到150°C的宽广结温范围内稳定运行。其底座安装的模块化封装，不仅简化了您的生产流程，更通过优化的热设计，将高达142.8W的功率处理能力牢牢掌控。这意味着，您的产品可以更小、更冷、更安静，在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择A1C15S12M3，就是选择了一份经过验证的卓越与安心。其2.45V的低饱和压降（Vce(on)），直接转化为更低的导通损耗，为您节省每一分电费；高达100A的极低集电极截止电流，则确保了待机时几乎为零的功耗泄漏。这颗芯片将高性能与易用性融为一体，让您无需在复杂的驱动和保护电路上耗费过多精力，从而能更专注于产品差异化功能的开发。如果您正在寻找可靠的功率解决方案，与一家专业的ST芯片代理合作，获取A1C15S12M3及其完整的技术支持，无疑是加速项目落地、赢得市场先机的明智之举。

• 型号:A1C15S12M3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ACEPACK 1
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 模块
• 描述:IGBT MODULE 1200V 15A ACEPACK 1
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 配置:三相反相器，带制动器
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:15 A
• 功率 - 最大值:142.8 W
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.45V @ 15V，15A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100 A
• 不同Vce 时输入电容 (Cies):985 pF @ 25 V
• 输入:三相桥式整流器
• NTC 热敏电阻:是
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型:底座安装
• 封装/外壳:模块
• 供应商器件封装:ACEPACK 1
• A1C15S12M3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。