BUZ10

在追求极致能效的今天，您的电源或电机驱动方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？想象一下，一颗能够承载23A强劲电流、同时将导通电阻压至毫欧级别的功率开关，将如何彻底改变您的设计格局？现在，答案就在BUZ10。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其50V的耐压和高达75W的功率处理能力，正是为高效、可靠的功率转换任务而生。它不仅仅是参数的堆砌，更是STripFET技术精髓的体现，旨在为您带来更低的传导损耗和更出色的热性能，让能量流动更加顺畅无阻。

无论是工业自动化中驱动电机的瞬间启停，还是开关电源中高频高效的DC-DC转换，甚至是汽车电子里需要稳健可靠的负载控制，BUZ10都能游刃有余。其TO-220AB的经典封装，兼顾了优异的散热能力和便捷的安装工艺，让它在紧凑的空间内也能稳定输出澎湃动力。面对复杂的电磁环境，其稳定的栅极特性和宽泛的工作温度范围（高达175°C结温），确保了系统在严苛条件下依然坚如磐石。选择它，就是为您的产品注入了持久耐用的基因。

那么，在众多功率器件中，为何独独青睐BUZ10？理由清晰而有力：它代表了经过市场长期验证的可靠性与性能的黄金平衡点。虽然已进入停产状态，但其卓越的设计和广泛的应用基础，使其成为库存优选或特定生命周期项目升级的绝佳选择。通过值得信赖的ST代理渠道，您不仅能获得正品保障，更能获取专业的技术支持与供应链服务，让您的选型决策后顾无忧。这不仅仅是一颗MOSFET，更是一个助力您产品提升效率、简化设计、赢得市场的强大伙伴。

• 型号:BUZ10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 50V 23A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:50 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:70 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• BUZ10的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。