IRF820

当您的电源设计需要在高电压下稳定运行，同时还要兼顾效率和可靠性时，您是否曾为寻找一颗性能与成本完美平衡的“心脏”而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您介绍IRF820，这颗来自ST意法半导体的经典N沟道MOSFET，正是为应对此类挑战而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、确保系统长期稳定运行的得力伙伴。

想象一下，在开关电源、电机驱动或照明镇流器的核心电路中，IRF820正以其高达500V的漏源电压和4A的连续电流承载能力，从容应对各种高压冲击和电流波动。其采用的PowerMESH II技术，带来了更低的导通电阻和更优的开关性能，这意味着更少的能量损耗和更低的发热量。在TO-220AB封装的可靠身躯内，蕴含着高达80W的功率处理能力和150°C的结温耐受，确保您的设备即使在严苛环境下也能持续高效运转，让您的产品在市场中脱颖而出，赢得用户的持久信赖。

选择IRF820，就是选择了一份经过市场长期验证的安心与价值。虽然它已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的适用性，使其在众多存量项目和特定升级方案中依然炙手可热。这正是我们作为专业的ST一级代理，依然为您精心备货并提供全面技术支持的原因。我们理解，经典的设计需要可靠的元件来延续生命，而我们的价值就在于为您连接这份可靠的过去与稳健的未来。无论是用于现有产品的维护升级，还是特定成本敏感型新项目的开发，这颗芯片都能以其出色的性价比，帮助您控制成本，同时毫不妥协地保障核心性能。

不要再为高压应用的选型而犹豫不决。让这颗集高效、可靠、经济于一身的功率开关，成为您下一个成功项目的坚实基石。联系我们，获取关于IRF820的详细资料、库存信息以及专业的技术选型建议，让我们携手，将稳定的电力转化为您产品的核心竞争力。

• 型号:IRF820
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• IRF820的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。