STB80NF55-08T4

当您的下一个电源设计项目面临效率瓶颈时，是否曾想过，一颗性能卓越的MOSFET能带来多大的改变？今天，我们向您隆重介绍一款在工业电源、电机驱动和DC-DC转换领域久经考验的功率开关解决方案STB80NF55-08T4。它不仅仅是一个元件，更是您提升系统能效、实现紧凑设计的得力助手。

这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其STripFET技术的深厚底蕴，在55V的电压平台下，能够持续承载高达80A的电流。其核心魅力在于极低的导通电阻，在10V驱动电压、40A电流条件下，Rds(On)最大值仅为8毫欧。这意味着什么？意味着更少的能量以热量的形式被浪费，更高的系统整体效率，以及更小的散热设计压力。无论是服务器电源需要应对突发的峰值负载，还是电动工具电机要求瞬间爆发大扭矩，它都能游刃有余，确保动力输出的稳定与强劲。

想象一下，在自动化产线的电机驱动板上，或是新能源车的车载充电机(OBC)中，STB80NF55-08T4正默默发挥着关键作用。其D2PAK封装不仅提供了优异的功率处理能力和散热特性，也兼容成熟的表面贴装工艺，便于自动化生产，提升您的制造效率。宽广的工作温度范围（-55°C至175°C结温）赋予了它应对严苛环境挑战的底气，从北方的严寒到设备内部的高温，性能始终如一。选择它，就是为产品的长期可靠运行增添了一份坚实的保障。

为何众多工程师在需要高性能、高可靠性N沟道MOSFET时会青睐于此？答案在于其卓越的性能价值比。它平衡了电压、电流、导通损耗和开关特性，是构建高效同步整流、电机控制桥臂以及各类开关电源的理想选择。虽然该型号已处于停产状态，但通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获取经过严格质量控制的原装现货，确保您的设计延续性与生产计划不受影响。让这颗凝聚了ST尖端功率半导体技术的芯片，成为您撬动更高能效目标的支点，助力您的产品在市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STB80NF55-08T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:155 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB80NF55-08T4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。