IRF840

在追求极致能效的电力转换设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定输出、同时兼顾成本效益的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来一个久经市场考验的经典解决方案IRF840。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其500V的漏源电压和8A的连续漏极电流能力，早已成为众多工程师心中可靠高效的代名词。虽然它已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的应用验证，使其在库存充足的情况下，依然是许多经典或成本敏感型项目的绝佳选择。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，无论是反激式还是正激式拓扑，IRF840都能扮演核心的开关角色。它高达125W的功率耗散能力，配合TO-220AB封装带来的优秀散热特性，确保系统在繁重工作时依然冷静从容。而在电机控制领域，从工业风扇到小型驱动设备，其快速的开关特性和低至850毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升整体系统效率，让您的产品在能耗表现上脱颖而出。

选择IRF840，就是选择了一份经过时间淬炼的可靠性。其采用的PowerMESH II技术，在硅片层面进行了优化，实现了更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这意味着它更容易被驱动，能减少对驱动电路的要求，让您的设计更简洁、更高效。对于仍在维护或生产基于此型号产品的工程师来说，通过可靠的ST代理商渠道获取原装正品，是保障项目长期稳定运行的关键。这颗芯片所代表的，不仅仅是一个电子元件，更是一种以成熟方案应对挑战的设计智慧，它能帮助您以更低的总体成本，快速实现稳定、高性能的电源与功率控制方案，将创意无缝转化为市场竞争力。

• 型号:IRF840
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:832 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• IRF840的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。