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L6384E

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器,封装:8-DIP
  • 技术参数:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

L6384E参数详情:

您是否正在为电机驱动、电源转换或照明系统寻找一颗性能可靠、集成度高的半桥栅极驱动器?在当今追求高效能与紧凑设计的电子世界里,选择正确的驱动芯片往往意味着项目成功了一半。今天,我们向您隆重介绍一款历经市场考验的经典之作L6384E。它不仅仅是一个驱动芯片,更是您构建稳定、高效功率系统的坚实基石。

想象一下,在您的工业电机控制板或大功率开关电源中,L6384E正以其高达600V的自举电压能力和卓越的同步驱动性能,从容应对高压环境。它专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化,峰值输出电流达到拉出650mA、灌入400mA,配合仅数十纳秒级的快速开关特性,能显著降低开关损耗,提升整体系统效率。无论是驱动空调压缩机电机、变频器,还是构建复杂的多相电源拓扑,它都能确保功率器件精准、可靠地动作,让您的产品在能效和稳定性上脱颖而出。

为何在众多选择中,L6384E值得您特别关注?首先,它源自业界巨头ST意法半导体,其卓越的工艺和品质保障不言而喻。通过我们值得信赖的ST授权代理,您可以获得正品货源与专业的技术支持。其次,尽管该型号已停产,但其成熟的设计、广泛的成功应用案例以及仍然可观的库存,使其成为许多经典设计升级或特定需求项目的绝佳“价值之选”。它采用坚固的8引脚DIP通孔封装,非常适合需要高可靠性和便于维护的工业环境。从-45°C到125°C的宽广工作结温范围,更是赋予了它应对严苛工况的强悍能力。

选择L6384E,就是选择了一份经过时间验证的可靠与高效。它可能不是最新潮的型号,但它所代表的稳定、强大与实用价值,在特定的应用场景中依然熠熠生辉。如果您正在寻找一个能够扛起高压、高速驱动重任的经典解决方案,L6384E无疑是您值得放入备选清单的核心组件。让我们助您将这份可靠的动力,注入您的下一个创新产品之中。

  • 型号:L6384E
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-DIP
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:半桥
  • 通道类型:同步
  • 驱动器数:2
  • 栅极类型:IGBT,MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:14.6V ~ 16.6V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:1.5V,3.6V
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):400mA,650mA
  • 输入类型:反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):600 V
  • 上升/下降时间(典型值):50ns,30ns
  • 工作温度:-45°C ~ 125°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:8-DIP(0.300,7.62mm)
  • 供应商器件封装:8-DIP
  • L6384E的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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