L6384ED013TR

在追求极致能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压半桥驱动的复杂性与风险而困扰？想象一下，一个紧凑的解决方案，不仅能轻松驾驭高达600V的电压，还能在-45°C到125°C的严苛环境下稳定运行，这正是L6384ED013TR为您带来的核心价值。这款来自ST意法半导体的高性能栅极驱动器，专为简化您的设计、提升系统可靠性而生。

无论是工业电机驱动、开关电源，还是不断电系统与照明应用，它都能无缝融入。其半桥驱动配置与同步通道设计，让您能高效、精准地控制IGBT或N沟道MOSFET，构建出既强壮又灵活的动力核心。高达650mA的拉电流与400mA的灌电流峰值输出能力，确保了开关动作的快速与果断，典型值50ns的上升时间与30ns的下降时间，意味着更低的开关损耗和更高的整体效率，直接助力您的终端产品在市场中赢得性能与能耗的双重优势。

选择L6384ED013TR，就是选择了一份源自顶尖半导体制造商的技术保障与长期供货承诺。其反相输入逻辑与宽范围逻辑电压兼容性，大大简化了与控制器的接口设计。表面贴装的8-SOIC封装，在节省宝贵板空间的同时，也满足了自动化生产的需求。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的ST中国代理团队随时待命，为您从选型到量产提供全程护航。这不仅仅是一颗芯片，更是您构建下一代高效、紧凑、可靠电源系统的信心之选。

• 型号:L6384ED013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:同步
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:14.6V ~ 16.6V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6384ED013TR的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。