L6387E

在追求更高能效和更可靠功率转换的今天，您的半桥拓扑设计是否还在为驱动电路的复杂性和稳定性而困扰？想象一下，一个集成了高压隔离、精准时序控制和强大驱动能力的解决方案，将如何彻底改变您的电源设计。答案就藏在L6387E这颗经典的半桥栅极驱动芯片之中。

它不仅仅是一个驱动器，更是您系统可靠性的坚实守护者。高达600V的自举电压能力，让它在电机驱动、开关电源、不间断电源（UPS）乃至工业照明镇流器等高压应用场景中游刃有余。无论是驱动IGBT还是N沟道MOSFET，它都能提供高达650mA的拉电流和400mA的灌电流，确保功率开关管快速、干净地开启与关断，显著降低开关损耗，提升整体效率。其反相输入逻辑与精准的时序控制，有效避免了半桥电路中致命的直通风险，为您的产品安全保驾护航。

选择L6387E，就是选择了一份历经市场验证的成熟与稳健。尽管已进入停产状态，但其卓越的性能和广泛的适用性，使其在存量市场和特定升级项目中依然拥有不可替代的价值。通过可靠的ST授权代理渠道，您依然可以获取到高品质的原装产品，为您的经典设计延续生命，或为备货计划提供关键支持。它那-45°C至125°C的宽广工作结温范围，更是赋予了产品应对严苛环境挑战的底气。让这颗来自ST意法半导体的工业级芯片，成为您构建高效、坚固功率系统的核心基石，化繁为简，驱动未来。

• 型号:L6387E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-DIP
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
• 供应商器件封装:8-DIP
• L6387E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。