STF2N62K3

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源转换方案是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够轻松驾驭620V高压，同时将导通电阻与栅极电荷优化到极致的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品性能版图。这正是STF2N62K3为您带来的核心价值。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统可靠性、延长产品寿命并最终赢得市场的强大引擎。

当我们将目光投向实际应用，STF2N62K3的身影活跃于各类需要高效、稳定功率处理的关键场合。无论是家用电器中的开关电源（SMPS），为您的冰箱、空调提供安静高效的“心脏”；还是工业领域的照明驱动，确保LED灯具长久稳定地散发光芒；亦或是辅助电源、DC-DC转换器等，它都能凭借其卓越的电气特性，确保能量以最小的损耗进行精准传递。其TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，更能适应自动化生产的需要，让您的制造流程如虎添翼。

那么，在众多同类产品中，选择STF2N62K3的深层理由是什么？答案在于其背后强大的SuperMESH3技术基因。这项ST意法半导体的尖端工艺，赋予了它极低的导通电阻（Rds(on)）与栅极电荷（Qg），这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的整体效率和更低的温升。高达150°C的结温（TJ）和20W的功率耗散能力，为您应对严苛环境提供了充足的余量。选择它，就是选择了一份来自世界级半导体制造商的品质承诺。若您正在寻找可靠的原厂供应与技术支援，我们作为专业的ST授权代理，将为您提供从选型到量产的全方位服务，确保这颗高性能芯片的价值在您的设计中得到完美释放。

• 型号:STF2N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:340 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF2N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。