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STW20NB50

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-247-3
  • 技术参数:MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

STW20NB50参数详情:

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域,您是否还在为高电压、大电流应用中的开关损耗和散热问题而烦恼?现在,一颗性能卓越的功率开关器件将彻底改变您的设计体验。我们隆重向您推荐来自ST意法半导体的明星产品STW20NB50。它不仅仅是一个MOSFET,更是您构建高效、紧凑、可靠电源系统的坚实基石。凭借其500V的耐压能力和高达20A的连续漏极电流,它天生就是为应对严苛的工业环境而生,让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出,赢得先机。

想象一下,在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)乃至新能源逆变器等关键应用中,每一次开关动作都关乎系统的整体效率与稳定性。STW20NB50正是为此类场景量身打造。它采用了ST先进的PowerMESH技术,这项专利工艺在硅片内部构建了独特的网格结构,在保持超低导通电阻的同时,显著优化了开关特性。这意味着,在您的电路中,它能以更小的能量损耗完成高速开关,将更多的电能高效地传递给负载,而非转化为无谓的热量。其TO-247-3的经典封装,不仅提供了优异的散热路径,便于您设计高效的散热方案,也确保了在长期高温高负荷运行下的卓越可靠性,让您的设备经久耐用。

为何众多工程师在面临关键选型时,会毫不犹豫地选择它?答案在于其无与伦比的综合价值。首先,极低的导通电阻(Rds(on))直接转化为更低的传导损耗,尤其在处理大电流时,节能效果立竿见影,为您和您的终端用户节省可观的运营成本。其次,优化的栅极电荷(Qg)和输入电容(Ciss)参数,使得驱动电路的设计更为简单高效,能够实现更快的开关速度,提升系统动态响应,同时降低驱动损耗。最后,高达150°C的结温(TJ)和250W的功率耗散能力,赋予了它强大的过载和高温耐受性,为您的设计提供了宽裕的安全边际。选择STW20NB50,就是选择了一份安心与高效。如需获取稳定的供货渠道与专业的技术支持,请务必联系官方授权的ST中国代理,他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。

  • 型号:STW20NB50
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-247-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO247-3
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):250 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):110 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4700 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):250W(Tc)
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-247-3
  • 封装/外壳:TO-247-3
  • STW20NB50的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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