L6387ED

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压侧驱动的复杂性与安全性而困扰？想象一下，一个集成了先进保护功能与卓越驱动性能的解决方案，能将您的半桥拓扑设计提升至全新高度这正是L6387ED为您带来的核心价值。作为ST意法半导体电源管理家族中的明星成员，这颗高压半桥栅极驱动器专为应对严苛工业环境而生，以其高达600V的自举电压能力和卓越的开关性能，为电机驱动、电源转换等应用注入强大而稳定的驱动力。

无论是驱动高速运转的工业风扇电机，还是构建高效可靠的开关电源（SMPS），L6387ED都能游刃有余。其独立的两通道设计，让您能够灵活控制高端与低端功率开关管（IGBT或N沟道MOSFET），轻松构建半桥、全桥或同步整流电路。面对复杂的电磁环境，其反相输入逻辑与优异的抗干扰能力，确保了控制信号的绝对精准。更令人安心的是，它内置了完善的欠压锁定（UVLO）功能，为高压侧和低压侧驱动提供双重电压监控，从根本上杜绝了因供电异常导致的功率管损坏风险，让您的系统坚如磐石。

选择L6387ED，就是选择了一份经得起考验的卓越与安心。其高达650mA的拉电流和400mA的灌电流能力，配合仅50ns和30ns的典型开关速度，能显著降低开关损耗，提升整体系统效率。宽广的-45°C至125°C工作结温范围，意味着它能在极端温度下稳定运行，满足最严苛的工业与汽车应用需求。此外，紧凑的8引脚SOIC封装极大节省了PCB空间，非常适合高密度设计。如果您正在寻找一个值得信赖的合作伙伴来获取这颗性能强大的驱动器，我们作为专业的ST芯片代理，不仅能提供稳定可靠的货源，更能为您提供深入的技术支持，助您将L6387ED的潜力发挥到极致，加速产品成功上市。

• 型号:L6387ED
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
• 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6387ED的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。