MJD31CT4

在追求更高能效和更可靠性能的电子设计领域，您是否正在寻找一款能够承载关键任务、稳定输出的功率开关解决方案？今天，我们为您带来意法半导体的明星产品MJD31CT4，这颗集高性能与高可靠性于一身的NPN功率晶体管，正是您突破设计瓶颈、提升产品竞争力的理想选择。它不仅是一个简单的电子元件，更是您构建高效、耐用电力系统的坚实基石。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或高亮度LED照明系统中，需要一颗能够承受高达100V电压和3A电流的开关器件，同时还要确保在高温环境下稳定工作。MJD31CT4正是为此而生。其出色的100V集射极击穿电压和3A的集电极电流能力，让它在处理中等功率负载时游刃有余，而低至1.2V的饱和压降则意味着更低的导通损耗和更高的整体效率。无论是工业控制设备中的继电器驱动，还是消费电子中的电源转换，它都能提供强劲而精准的电流控制，确保您的系统运行如丝般顺滑。

选择MJD31CT4，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺。其表面贴装（TO-252/DPak）封装不仅节省了宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，大幅提升您的装配效率。高达150°C的结温工作能力，赋予了它卓越的热稳定性和环境适应性，即使在严苛的应用条件下也能持久稳定。当您需要可靠的原厂正品和及时的技术支持时，我们的ST代理商网络将随时为您服务，确保您从选型到量产的每一步都顺畅无忧。让MJD31CT4成为您下一个成功项目的强大心脏，驱动创新，赢在未来。

• 型号:MJD31CT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 100V 3A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:3 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:100 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1.2V @ 375mA，3A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:50A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:10 @ 3A，4V
• 功率 - 最大值:15 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• MJD31CT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。