STD95NH02LT4

在追求极致效率的电源管理和电机控制领域，您是否还在为寻找一款能在紧凑空间内承载大电流、同时保持超低损耗的开关器件而烦恼？今天，我们为您带来的STD95NH02LT4，正是意法半导体STripFET家族中一颗曾经闪耀的明星，它以其卓越的性能参数，重新定义了24V级别功率MOSFET的可能性。即便处于停产状态，其经典的设计和可靠的性能，依然在诸多存量项目和特定应用中发挥着不可替代的价值，通过可靠的ST中国代理渠道，您依然可以获取这颗性能悍将，为您的产品注入持久动力。

想象一下，在您的同步整流电路、DC-DC转换器或是电机驱动模块中，需要一颗开关器件能够以极低的导通电阻（仅5毫欧）顺畅通过高达80A的连续电流。STD95NH02LT4正是为此而生。它采用先进的N沟道技术，在10V驱动电压下即可实现完全导通，大大简化了驱动电路的设计难度。其高达100W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C结温工作范围，意味着它能在严苛的环境下稳定运行，无论是工业自动化设备中频繁启停的电机，还是服务器电源中要求高效节能的功率转换单元，它都能轻松应对，确保系统核心动力部分的高效与可靠。

选择STD95NH02LT4，不仅仅是选择了一个参数优秀的MOSFET，更是选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。其DPAK封装兼顾了功率承载与PCB空间占用，非常适合高密度板卡设计。极低的栅极电荷（仅17nC @ 5V）意味着更快的开关速度和更低的开关损耗，这对于提升整体系统效率、降低温升至关重要。虽然官方状态显示停产，但其成熟的技术和广泛的应用基础，使其成为许多经典设计延续生命周期、进行备货或特定项目开发的理想选择。当您需要一颗在中等电压下提供超大电流处理能力、且对效率有苛刻要求的功率开关时，STD95NH02LT4所代表的性能标杆，依然值得您信赖和考量。

• 型号:STD95NH02LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD95NH02LT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。