STF2N80K5

当您需要一款能在高压环境中稳定工作，同时兼顾高效能与可靠性的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就藏在STF2N80K5这颗来自意法半导体的卓越芯片之中。它不仅仅是一个参数表上的型号，更是您应对严苛电力挑战的得力伙伴，其800V的漏源电压和2A的连续漏极电流能力，为您的设计提供了坚实的性能基石。

想象一下，在开关电源、照明驱动或是小型电机控制等应用场景中，系统需要频繁地开关高压电流。这正是STF2N80K5大显身手的舞台。它采用先进的SuperMESH5技术，将导通电阻（RdsOn）控制在极低的水平，这意味着在导通状态下，能量损耗被显著降低，热量产生更少，系统整体效率得以大幅提升。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了快速、干净的开关动作，让您的电源转换过程更加迅捷平滑，有效减少了开关损耗和电磁干扰，为最终产品带来更安静、更稳定的运行表现。

选择STF2N80K5，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。其TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，确保芯片在高达150°C的结温下依然稳定工作，也兼顾了通孔安装的便利性与可靠性。从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，让它能够从容应对从工业到消费电子等各种环境下的温度波动。当您需要这样一颗集高性能、高可靠性与高性价比于一身的功率MOSFET时，通过值得信赖的ST代理进行采购，将是确保您获得正品货源和专业技术支持的最佳途径。让STF2N80K5成为您下一个成功产品的强大心脏，开启高效能、高可靠性的设计新篇章。

• 型号:STF2N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:95 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF2N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。