MJD50T4

在追求更高能效与可靠性的电子设计领域，您是否正在寻找一款能够轻松驾驭高压开关与驱动任务的核心元件？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案MJD50T4。这款来自ST意法半导体的NPN功率晶体管，以其高达400V的集射极击穿电压和1A的持续电流能力，为您的高压侧开关、电机驱动、电源转换等应用注入强劲而稳定的动力。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品性能、简化设计复杂度的得力助手。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）初级侧，MJD50T4能够从容应对高反压环境，确保能量高效、稳定地传递；在LED驱动或电子镇流器电路中，它可靠的开关特性让光效更稳定，寿命更长久；而对于那些需要控制继电器、小型电机或电磁阀的工业与家电产品，这颗芯片提供的15W功率处理能力和高达150°C的结温，意味着它能在更严苛的环境下持续工作，大幅提升整机可靠性。其DPAK封装不仅节省宝贵的PCB空间，更便于自动化生产，让您的制造流程高效且一致。

选择MJD50T4，就是选择了一份经过市场验证的成熟与稳健。虽然它目前已处于停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的应用验证，使其成为特定存量项目升级或经典设计延续的绝佳选择。通过我们这样的ST一级代理，您不仅能获得正品保障和稳定的供货支持，更能得到专业的技术选型建议。让这颗集高压、中功率与高可靠性于一身的晶体管，成为您构建更坚固、更高效电子系统的基石，助您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:MJD50T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 400V 1A DPAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:400 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:1V @ 200mA，1A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:30 @ 300mA，10V
• 功率 - 最大值:15 W
• 频率 - 跃迁:10MHz
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• MJD50T4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。