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NAND01GW4B2AN6E供应商
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NAND01GW4B2AN6E
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:48-TSOP
- 技术参数:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
- (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
- (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
NAND01GW4B2AN6E参数详情:
在数据爆炸的时代,您的嵌入式系统是否还在为存储空间不足、读写速度跟不上而烦恼?想象一下,一个智能工业网关需要实时记录海量传感器数据,一个车载信息娱乐系统要流畅加载地图和多媒体这些场景的核心,都离不开一颗可靠、高效的大容量闪存芯片。今天,我们为您带来的NAND01GW4B2AN6E,正是意法半导体(ST)为应对此类挑战而精心打造的存储解决方案。它不仅仅是一颗芯片,更是您产品性能飞跃的基石。
这款1Gb并行NAND闪存芯片,以其卓越的稳定性和快速的访问能力,在众多应用场景中大放异彩。无论是工业自动化中需要持续记录日志和状态数据的PLC控制器,还是消费电子里要求快速启动和存储用户配置的智能设备,NAND01GW4B2AN6E都能轻松胜任。其30ns的快速页写入和访问时间,意味着数据吞吐更加流畅,系统响应更为迅捷,彻底告别卡顿与等待。宽广的-40°C至85°C工作温度范围,更是让它无惧严苛环境,从炎热的车间到寒冷的户外,数据存储始终安全可靠。
选择NAND01GW4B2AN6E,就是选择了一份经市场验证的安心与高效。它采用成熟的并行接口和2.7V~3.6V宽电压供电,设计兼容性极高,能显著缩短您的开发周期,让工程师可以更专注于核心功能的创新。虽然该型号已处于停产状态,但其卓越的性能和稳定性使其在存量市场和特定延续性项目中依然拥有不可替代的价值。对于正在使用或计划维护相关产品的开发者而言,通过可靠的ST中国代理渠道,您依然可以获取到高品质的货源和专业的技术支持,确保项目供应链的稳定与安全。这不仅仅是一次元器件采购,更是一次为产品长期稳定运行所做的战略性投资。
- 型号:NAND01GW4B2AN6E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:48-TSOP
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:30ns
- 访问时间:30 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP(0.724,18.40mm 宽)
- 供应商器件封装:48-TSOP
- NAND01GW4B2AN6E的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。


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