PD57060TR-E

在追求极致无线性能的今天，您的射频功率放大方案是否还在为效率、稳定性和集成度而妥协？现在，答案来了。我们隆重推出ST意法半导体的射频功率明星PD57060TR-E，这是一款专为挑战高性能极限而生的LDMOS射频功率晶体管。它不仅仅是一个元件，更是您撬动更广阔市场、打造差异化产品的关键支点。想象一下，在945MHz的核心频段上，它能稳定输出高达60W的强劲功率，同时保持14.3dB的优秀增益，这意味着您的设备能以更低的驱动需求，获得更远距离、更清晰稳定的信号覆盖，无论是基站覆盖的最后一公里，还是工业设备间可靠的数据链路，都能轻松驾驭。

这款芯片的应用场景广泛而深入。它天生就是为通信基础设施、工业射频加热、广播发射以及高性能无线数据链路等严苛环境准备的。其65V的高额定电压和7A的额定电流能力，赋予了它卓越的鲁棒性和可靠性，即使在电压波动或复杂电磁环境下，也能如磐石般稳定工作。PowerSO-10的封装形式，特别是底部的裸露焊盘设计，不仅优化了散热路径，让热量管理变得前所未有的高效，还极大地节省了宝贵的PCB空间，让您的整机设计可以更加紧凑、优雅。当您需要构建一个既强大又可靠的射频前端时，PD57060TR-E就是那个能让您安心托付的核心引擎。

那么，为什么众多领先的设计师都倾向于选择它？理由清晰而有力。首先，它代表了ST在LDMOS技术领域的深厚积淀，将高功率、高效率和高线性度完美结合，直接提升了您终端产品的性能天花板。其次，其简化的外围电路需求，显著降低了系统设计的复杂度和总体成本，让您能更快地将创意转化为成熟产品。最后，选择PD57060TR-E，意味着您选择了由全球顶尖的ST代理商网络所支撑的稳定供应链和专业技术支持，从样品获取到量产保障，全程无忧。立即拥抱这款射频功率解决方案，让它成为您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的决定性力量。

• 型号:PD57060TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:14.3dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:100 mA
• 功率 - 输出:60W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD57060TR-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。