




PD57070S
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET,封装:10-PowerSO
- 技术参数:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
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PD57070S参数详情:
在追求极致射频性能的竞技场上,您是否还在为寻找一款能在高频段稳定输出高功率、同时保持出色线性度的解决方案而困扰?想象一下,在945MHz这个关键频段,将70W的强大功率与14.7dB的高增益完美结合,会是怎样一种体验?现在,这一切都由PD57070S为您实现。这款来自ST意法半导体的LDMOS射频功率晶体管,专为苛刻的高功率射频应用而生,其65V的高额定电压和7A的额定电流能力,意味着它天生就为稳定和可靠而设计,能够轻松应对电压波动带来的挑战,确保您的系统在最严苛的条件下依然坚如磐石。
无论是驱动基站功放、推动工业加热设备,还是作为高性能测试仪器的心脏,PD57070S都能展现出其非凡的价值。它的PowerSO-10封装不仅提供了优异的散热性能,裸露的底部焊盘设计更是将热阻降至最低,让热量无处遁形,从而保障芯片在长时间满负荷工作时依然保持冷静,性能不衰减。这意味着您的产品可以持续高效运行,减少因过热导致的故障和维护停机时间,直接提升了终端设备的可用性和用户满意度。当您需要一位值得信赖的合作伙伴来获取原装正品和技术支持时,我们的ST中国代理团队随时待命,为您提供从选型到量产的全链路服务。
选择PD57070S,不仅仅是选择了一颗高性能的芯片,更是选择了一种面向未来的技术自信。尽管它已处于停产状态,但其卓越的性能指标和经过市场验证的可靠性,使其成为特定高端应用或现有系统维护升级的绝佳选择。它代表了一个时代的技术精华,在945MHz频段提供70W输出的同类产品中,其增益与效率的平衡依然颇具竞争力。对于那些追求极致性能、需要构建差异化优势的项目而言,PD57070S所蕴含的稳定、高效与强大的基因,正是帮助您的产品在竞争中脱颖而出的关键砝码。让它成为您下一个明星产品的强大引擎,共同开启射频应用的新篇章。
- 型号:PD57070S
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:10-PowerSO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:945MHz
- 增益:14.7dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流(安培):7A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:250 mA
- 功率 - 输出:70W
- 电压 - 额定:65 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:10-PowerSO
- PD57070S的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















