PD85006TR-E

在追求极致射频性能的赛道上，您是否还在为寻找一款能在870MHz频段稳定输出、兼顾效率与可靠性的功率放大器而烦恼？今天，我们为您带来一个经过市场验证的卓越解决方案PD85006TR-E。这款由ST意法半导体精心打造的LDMOS射频功率晶体管，专为严苛的射频应用而生，其高达17dB的增益和5W的稳定输出功率，意味着您能以更简洁的前级设计，驱动出更强劲、更纯净的信号，显著提升整个发射链路的效率与线性度。

想象一下，在专业移动通信基站、中继台，或是需要稳定大功率输出的无线数据链路中，PD85006TR-E正是那颗驱动核心的“心脏”。它工作在13.6V的典型电压下，额定电压高达40V，提供了充足的电压裕度和出色的耐用性。其PowerSO-10RF封装不仅优化了散热性能，裸露的底部焊盘设计更能让热量迅速导出，确保设备在长时间、高负荷运行下依然保持冷静与稳定，这对于保障通信设备7x24小时不间断可靠运行至关重要。选择我们，您就选择了由官方ST授权代理提供的正品货源与专业支持，为您的项目从研发到量产全程护航。

为何众多工程师在关键项目中持续信赖这款产品？答案在于其卓越的综合价值。尽管已进入停产状态，但其成熟的工艺、稳定的性能以及在特定应用领域无可替代的性价比，使其成为库存优选或现有系统维护升级的理想选择。它不仅仅是一个元件，更是经过时间淬炼的性能标杆。当您需要一款在870MHz频点表现卓越、能轻松应对2A额定电流挑战的射频功率器件时，PD85006TR-E以其久经考验的可靠性，将继续为您的创新提供坚实动力，助您构建更强大、更高效的无线系统。

• 型号:PD85006TR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:2A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:200 mA
• 功率 - 输出:5W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
• PD85006TR-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。