PD85025STR-E

在追求极致射频性能的竞赛中，您的系统是否还在为信号放大效率与稳定性而妥协？今天，我们为您带来一个能够彻底改变游戏规则的解决方案PD85025STR-E。这款由ST意法半导体匠心打造的LDMOS射频功率晶体管，专为挑战极限而生，其高达10W的输出功率与17.3dB的卓越增益，意味着您能以更少的级数、更简洁的设计，获得前所未有的强劲信号驱动能力，让您的产品在竞争中率先冲破性能天花板。

想象一下，在专业移动通信基站、高性能射频功放模块乃至严苛的工业射频应用场景中，PD85025STR-E正是那颗稳定可靠的心脏。它精准定位于870MHz频段，在13.6V的工作电压下展现出优异的线性度与效率，确保信号传输纯净而有力。无论是需要持续高功率输出的基站环境，还是对空间和散热有苛刻要求的紧凑型设备，其PowerSO-10RF封装结合裸露底部焊盘的设计，都为实现高效散热与高密度布局提供了完美答案，让复杂系统的集成变得前所未有的轻松。

选择PD85025STR-E，不仅仅是选择了一颗高性能芯片，更是选择了一份源自ST原厂的品质保证与长期价值。尽管该型号已进入停产状态，但其卓越的性能指标和广泛的市场验证，使其成为特定高端或存量项目升级的珍贵之选。通过我们值得信赖的ST授权代理，您不仅能获得正品保障与可靠的供货渠道，更能得到专业的技术支持与选型指导。它意味着更低的系统总成本、更快的上市时间，以及面对挑战时从容不迫的底气。立即行动，让这颗射频功率之星，点亮您下一个产品的成功之路。

• 型号:PD85025STR-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerSO-10RF（直引线）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V PWRSO-10RF
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17.3dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:7A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:300 mA
• 功率 - 输出:10W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
• 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
• PD85025STR-E的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。