STD5NK50Z-1

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为开关损耗和系统稳定性而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍STD5NK50Z-1，这颗源自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道功率MOSFET，正是为破解此类难题而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品竞争力、实现设计飞跃的关键引擎。

想象一下，在您的开关电源、电机驱动或照明镇流器应用中，需要一颗能够从容应对500V高压、稳定承载数安培电流的“心脏”。STD5NK50Z-1正是为此场景量身打造。其先进的SuperMESH技术，意味着更低的导通电阻（Rds(on)典型值仅1.5欧姆@10V），这直接转化为更少的导通损耗和更低的温升，让您的系统在高效运行的同时，保持令人安心的凉爽与稳定。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是消费电子对紧凑空间与散热的高要求，它都能游刃有余。

选择STD5NK50Z-1，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。ST意法半导体的深厚技术积淀，确保了这颗器件从-55°C到150°C的广阔结温范围内都能保持卓越性能。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动电路设计更为简化，开关速度更快，从而显著提升整体系统的响应效率与频率潜力。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的验证和可靠的性能，使其成为许多经典和延续性项目的理想选择，通过可靠的ST芯片代理渠道，您依然可以稳定获取这颗经过市场千锤百炼的优质器件，为您的产品注入历久弥新的核心动力。

归根结底，在功率转换的世界里，细节决定成败。STD5NK50Z-1以其500V的坚固耐压、4.4A的强健电流能力以及IPAK封装带来的优良散热和通孔安装可靠性，为您提供了一个经得起时间考验的高性能基础。它让您的设计摆脱平庸，在效率、可靠性和成本之间找到最佳平衡点，最终助力您的产品在市场中脱颖而出，赢得持久信赖。

• 型号:STD5NK50Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD5NK50Z-1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。