STP120N4F6

想象一下，您的下一个电源或电机驱动项目，能否在保持紧凑设计的同时，承载高达80A的强劲电流，并将导通损耗降至最低？答案就藏在STP120N4F6这颗性能卓越的功率MOSFET之中。来自ST意法半导体的这款N沟道MOSFET，不仅仅是一个开关元件，它是您提升系统效率、释放产品潜力的关键引擎。其DeepGATE与STripFET VI技术的完美融合，带来了革命性的低导通电阻在10V驱动下，仅需4.3毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式浪费，更多的能量被高效地输送到负载端，直接为您节省运营成本，并延长设备寿命。

无论是面对严苛的汽车电子环境，还是高要求的工业自动化场景，STP120N4F6都能游刃有余。它专为汽车级（AEC-Q101）标准打造，拥有-55°C至175°C的广阔工作结温范围，确保在极端温度下依然稳定可靠。当您在设计DC-DC转换器、电机驱动器、电池保护电路或大电流负载开关时，这颗芯片就是您最坚实的后盾。其TO-220AB的经典封装，既便于散热处理，也兼容广泛的生产与测试流程，让从原型到量产的每一步都更加顺畅。选择它，就是为您的产品注入了源自顶级半导体制造商的耐久基因。

为什么众多领先厂商在需要40V/80A级别的高性能开关时，会毫不犹豫地选择STP120N4F6？因为价值显而易见。极低的栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统频率可以更高，响应可以更迅捷。高达110W的功率耗散能力，结合出色的热性能，让散热设计不再是难题。更重要的是，通过与值得信赖的ST一级代理合作，您不仅能获得正品保障和具有竞争力的价格，还能得到及时的技术支持与稳定的供货，彻底消除项目供应链的后顾之忧。这不仅仅是一次元器件采购，更是一次为产品竞争力加码的战略投资。

• 型号:STP120N4F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP120N4F6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。