SCT10N120

在追求极致能效与功率密度的今天，您的电源设计是否还在为传统硅基器件的开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，如果有一款器件能同时带来更低的导通损耗、更高的开关频率和更出色的高温稳定性，您的产品将如何在竞争中脱颖而出？现在，这一切不再是想象。由ST意法半导体推出的SCT10N120碳化硅场效应晶体管，正是为颠覆而来，它将为您的下一代高效电源解决方案注入强大动力。

这款芯片的核心魅力，在于其采用的革命性SiCFET技术。相较于传统硅基MOSFET，碳化硅材料赋予了它卓越的物理特性。高达1200V的漏源电压和12A的连续漏极电流，让它能够从容应对工业电机驱动、太阳能逆变器、电动汽车充电桩以及服务器电源等高压、大功率应用场景。在这些领域，每一次开关动作都关乎整体系统的效率与可靠性，而SCT10N120凭借其极低的导通电阻（典型值仅690毫欧）和极小的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动损耗，让您的系统运行得更“冷静”、更高效，直接帮助您降低散热成本，提升功率密度。

选择SCT10N120，不仅仅是选择了一颗高性能的晶体管，更是选择了一种面向未来的设计思路。其独特的HiP247封装不仅确保了出色的功率耗散能力（高达150W），更提供了卓越的隔离性能和机械可靠性。宽广的工作温度范围（-55°C至200°C结温）意味着它能在各种严苛环境下稳定工作，大大提升了终端产品的耐用性和适用范围。当您致力于打造更绿色、更紧凑、更可靠的能源转换系统时，这颗芯片就是您最值得信赖的伙伴。如需获取官方正品与技术支援，我们的合作伙伴专业的ST中国代理将为您提供全方位的服务。

从提升能效到缩小体积，从增强可靠性到简化热管理，SCT10N120所带来的价值是全方位的。它不仅仅是一个电子元件，更是您实现产品差异化、抢占市场先机的关键技术赋能者。拥抱碳化硅技术，就是拥抱电源设计的未来。现在，就让SCT10N120助您打破效率瓶颈，开启高效、高功率密度设计的新篇章。

• 型号:SCT10N120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCT10N120的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。