SCT10N120AG

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为传统硅基器件的性能瓶颈而妥协？现在，一个划时代的解决方案已经到来。我们隆重推出意法半导体的新一代碳化硅功率器件SCT10N120AG。它不仅仅是一颗晶体管，更是通往更高效率、更紧凑设计和更强韧系统的钥匙。凭借其革命性的SiCFET技术，它正在重新定义中高功率应用的性能标准，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在电动汽车的车载充电机中，这颗芯片能够以更低的开关损耗处理高达1200V的电压，显著提升充电速度并减少热量产生，让续航焦虑成为过去。在工业伺服驱动和光伏逆变器中，其高达200°C的结温工作能力和AEC-Q101车规级品质，意味着它能在严苛的环境下稳定运行，大幅提升系统的平均无故障时间。无论是数据中心的高效服务器电源，还是不断电系统的关键能量转换环节，SCT10N120AG都能以其卓越的性能，成为系统可靠性的坚实基石。

选择SCT10N120AG，就是选择了一份面向未来的投资。它集成了HiP247封装，不仅提供了出色的散热性能和通孔安装的便利性，其极低的栅极电荷（仅22nC）和导通电阻，直接转化为更快的开关频率、更低的导通损耗以及整体系统效率的显著跃升。这意味着您的终端产品将拥有更小的体积、更轻的重量和更长的使用寿命。我们作为值得信赖的ST代理，不仅为您提供这颗顶尖的芯片，更将提供全面的技术支持和供应链保障，助您轻松驾驭碳化硅技术，将创新构想高效转化为市场领先的产品。立即拥抱SiC革命，让SCT10N120AG为您的设计注入强大动能！

• 型号:SCT10N120AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCT10N120AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。