STU3LN80K5

当您的电源设计需要在高电压下保持稳定高效，同时又要严格控制成本和空间时，您是否在为寻找那颗“恰到好处”的功率开关而烦恼？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体MDmesh K5系列中的明星产品STU3LN80K5。它不仅仅是一个800V的N沟道MOSFET，更是工程师应对严苛能效挑战的得力助手，以其卓越的平衡性，为您的产品注入强劲而可靠的动力核心。

想象一下，在紧凑的开关电源适配器、LED驱动或是家用电器辅助电源中，空间极其有限，散热条件也并非理想。STU3LN80K5正是为此而生。它采用先进的MDmesh K5技术，在800V的高压档位下，实现了导通电阻与栅极电荷的优化组合。这意味着在频繁的开关动作中，它既能有效降低导通损耗，又能显著减少开关损耗，让整个系统的效率曲线更加平滑出色。其高达45W的功率耗散能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了即使在环境多变或持续高负载运行下，也能稳定工作，大幅提升了终端产品的耐用性和可靠性。

选择STU3LN80K5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它继承了意法半导体在功率器件领域数十年的技术积淀，MDmesh K5结构带来了更快的开关速度和更优的EMI表现。对于研发工程师而言，其标准的IPAK（TO-251）通孔封装，兼顾了散热性能与焊接工艺的便利性，让PCB布局和生产线装配都变得轻松自如。更重要的是，通过正规的ST授权代理渠道获取，您不仅能保证芯片的百分百原装正品和长期稳定供应，还能获得及时的技术支持和完整的供应链服务，彻底消除项目后续风险。让STU3LN80K5成为您下一个爆款产品的“心脏”，它将用高效、稳定和可靠的表现，助您赢得市场先机。

• 型号:STU3LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK（TO-251）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 2A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.25 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:102 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK（TO-251）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU3LN80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。