




PWD13F60TR
- 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
- 类别封装:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 全半桥驱动器,封装:28-VFQFPN(10x13)
- 技术参数:IC HALF BRIDGE DRVR 8A 28VFQFPN
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PWD13F60TR参数详情:
在追求极致能效与可靠性的工业自动化浪潮中,您是否还在为驱动方案的效率瓶颈和散热难题而困扰?现在,答案来了。我们隆重推出ST意法半导体的高性能解决方案PWD13F60TR,这颗专为严苛工业环境打造的高密度功率驱动器,将以其卓越的性能,重新定义您的电源管理设计边界。
想象一下,在您的电机控制、电源转换或工业机器人关节驱动系统中,一颗芯片能够同时提供高达8A的持续输出电流和惊人的32A峰值电流,而导通电阻却低至320毫欧。这意味着什么?这意味着更低的导通损耗,更高的整体效率,以及显著减少的热量产生。PWD13F60TR正是这样一位“能效冠军”,它采用先进的功率MOSFET技术,在半桥配置下精准驱动感性负载,让您的设备在-40°C到125°C的宽广温度范围内稳定运行,无惧环境挑战。其内置的UVLO(欠压锁定)故障保护功能,更是为系统可靠性增添了一道坚实的保险。
它的舞台遍布工业领域的各个角落。无论是需要精密运动控制的伺服驱动器,还是要求高效电能转换的开关电源,亦或是自动化生产线上的执行机构,PWD13F60TR都能完美融入。其紧凑的28-PowerVQFN表面贴装封装,不仅节省了宝贵的PCB空间,其卷带(TR)和剪切带(CT)包装也完全适配现代化高速贴片生产线,助力您快速实现产品量产。选择它,就是为您的工业级应用选择了一个动力澎湃、坚若磐石的核心。
那么,为何最终选择PWD13F60TR?理由清晰而有力:它代表了ST在功率半导体领域的深厚积淀,将高电流驱动能力、低损耗特性与工业级的鲁棒性融为一体。它不仅仅是一个组件,更是您提升产品竞争力、降低系统总成本、加速上市周期的战略伙伴。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货保障时,请务必联系您信赖的ST代理商,他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。立即行动,让PWD13F60TR成为您下一个成功产品的强大心脏!
- 型号:PWD13F60TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:28-VFQFPN(10x13)
- 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 全半桥驱动器
- 描述:IC HALF BRIDGE DRVR 8A 28VFQFPN
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- 输出配置:半桥(2)
- 应用:工业级
- 接口:逻辑
- 负载类型:电感
- 技术:功率 MOSFET
- 导通电阻(典型值):320 毫欧
- 电流 - 输出/通道:8A
- 电流 - 峰值输出:32A
- 电压 - 供电:15V
- 电压 - 负载:-
- 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 特性:-
- 故障保护:UVLO
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:28-PowerVQFN
- 供应商器件封装:28-VFQFPN(10x13)
- PWD13F60TR的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。

















