SCT10N120H

当您的下一代电源设计面临效率瓶颈时，是否曾想过，有一种解决方案能同时实现更低的损耗、更高的频率和更紧凑的布局？答案就藏在先进的碳化硅技术之中。今天，我们向您隆重介绍来自ST意法半导体的革新性功率器件SCT10N120H。它不仅仅是一颗MOSFET，更是开启高效能源未来的钥匙，其1200V的耐压和12A的连续电流能力，为工业电源、新能源及电动汽车充电桩等高压应用场景，带来了前所未有的性能飞跃。

想象一下，在服务器电源或太阳能逆变器的核心电路中，传统硅基器件带来的开关损耗和散热难题常常令人头疼。SCT10N120H凭借其碳化硅（SiC）材料的先天优势，能轻松应对这些挑战。它的导通电阻低至690毫欧，栅极电荷极小，这意味着在频繁开关的工况下，它能大幅降低能量损耗，让系统整体效率轻松突破96%甚至更高。同时，其高达200°C的结温工作能力，赋予了设计者更大的热管理余量和可靠性信心，让您的产品在严苛环境下依然稳定运行。

为何越来越多的工程师在高压项目中转向选择SCT10N120H？核心在于它带来的综合价值远超单一部件成本。选择它，意味着您选择了更小的磁性元件、更精简的散热系统，从而实现了系统级的小型化和轻量化，最终降低了整体BOM成本。其快速的开关特性还能支持更高的工作频率，这直接助力于提升功率密度，让您的设备在竞争中脱颖而出。如果您正在寻找可靠的技术伙伴与供货渠道，我们的ST中国代理团队将为您提供从选型支持到稳定供应链的全方位服务，确保您的创新想法能快速、稳妥地落地成产品。

从工业电机驱动到不间断电源（UPS），从电动汽车的车载充电机（OBC）到储能变流器（PCS），SCT10N120H的身影正活跃在每一个追求极致效率与可靠性的角落。它不仅仅是一个电子元器件，更是您提升产品竞争力、实现绿色节能目标的战略选择。拥抱碳化硅技术，就是拥抱未来。现在就开始使用SCT10N120H，为您的下一个旗舰产品注入澎湃而高效的核心动力吧！

• 型号:SCT10N120H
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2Pak-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:690 毫欧 @ 6A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:290 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2Pak-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• SCT10N120H的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。