SCT20N120AG

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否还在为传统硅基器件的性能瓶颈而妥协？当系统效率每提升1%都意味着巨大的商业价值与竞争优势时，选择一款能够突破极限的核心功率器件，就是为您的产品注入决定性的未来基因。今天，我们为您带来革命性的解决方案SCT20N120AG，这颗来自ST意法半导体的碳化硅（SiC）功率开关，正以其卓越的性能，重新定义高压、高频、高温应用的可能性。

想象一下，在新能源汽车的OBC（车载充电机）或主驱逆变器中，系统需要在严苛的工况下持续稳定运行。SCT20N120AG凭借其1200V的耐压能力和高达20A的连续电流，轻松应对高压电池平台的需求。其采用的先进SiCFET技术，相比传统硅基IGBT或MOSFET，带来了革命性的低开关损耗和导通损耗。这意味着，您的系统可以在更高的开关频率下工作，从而显著减小外围磁性元件（如电感和变压器）的体积和成本，最终实现整个电源模块的小型化、轻量化与高效率。无论是服务器电源、光伏逆变器，还是工业电机驱动，这颗芯片都能让您的设计游刃有余，释放出前所未有的功率密度。

选择SCT20N120AG，就是选择了一份面向未来的保障。它隶属于ST的Automotive, AEC-Q101产品家族，这意味着它从设计之初就遵循了严苛的汽车级可靠性标准，能够从容应对-55°C至200°C的极端结温挑战，确保在恶劣环境下的长久稳定。其极低的栅极电荷（Qg仅45nC）和导通电阻（Rds(on)），让驱动设计更简单，系统发热更少，整体能效显著提升。更值得一提的是，通过我们专业的ST一级代理服务，您不仅能获得稳定可靠的货源和具有竞争力的价格，更能得到从选型支持、技术方案到样品测试的全流程专业服务，确保您的创新想法能够快速、稳健地落地成为具有市场竞争力的产品。让SCT20N120AG成为您下一代高性能电源与驱动系统的强大心脏，共同开启高效、可靠的绿色能源新时代。

• 型号:SCT20N120AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:239毫欧 @ 10A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:650 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:153W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCT20N120AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。