SCT30N120

当您的下一代电源设计需要同时满足高效率、高功率密度和卓越的可靠性时，您是否还在传统硅基方案中苦苦寻找平衡点？现在，答案已经揭晓。凭借意法半导体先进的碳化硅技术，SCT30N120将彻底改变您对高压功率开关的认知，它不仅仅是一个组件，更是您产品实现性能飞跃的关键引擎。

想象一下，在电动汽车的车载充电器或工业服务器电源中，系统需要在严苛的环境下持续稳定运行。SCT30N120凭借其1200V的耐压和40A的连续电流能力，为您提供了坚实的安全边际。其独特的SiCFET技术带来了革命性的低导通损耗，在20A电流下导通电阻低至100毫欧，这意味着更少的热量产生和更高的能源转换效率。无论是面对太阳能逆变器中的高频开关，还是UPS系统里的快速响应，它都能游刃有余，让您的系统在竞争中脱颖而出。

选择SCT30N120，就是选择了一个经过验证的可靠伙伴。其HiP247封装专为高功率应用优化，确保了出色的散热性能和机械坚固性。极低的栅极电荷（105nC）和输入电容，让驱动电路设计变得前所未有的简单，显著降低了开关损耗，提升了系统整体频率和功率密度。工作温度范围宽达-55°C至200°C，足以应对最极端的工况挑战。当您需要可靠的技术支持和供应链保障时，我们的ST代理团队将随时为您提供从选型到量产的全方位服务。拥抱碳化硅的未来，让SCT30N120成为您撬动市场、打造标杆产品的支点。

• 型号:SCT30N120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.6V @ 1mA（典型值）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:105 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+25V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:270W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCT30N120的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。