STP10NK50Z

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的“全能型”开关器件？今天，我们为您带来的STP10NK50Z，正是意法半导体SuperMESH技术家族中的一颗明星产品，它完美地回应了这一需求。凭借高达500V的漏源电压和9A的连续漏极电流能力，这颗MOSFET为您的功率转换系统注入了强大的心脏，而其核心价值远不止于参数表上的数字。

想象一下，在开关电源、电机驱动或照明镇流器的核心电路中，STP10NK50Z正稳定地工作着。它卓越的SuperMESH技术，意味着在10V驱动电压下，导通电阻可低至700毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。对于工程师而言，这不仅意味着系统整体效率的显著提升，更代表着散热设计的简化、产品体积的优化以及长期运行可靠性的坚实保障。在-55°C至150°C的宽广结温范围内，它都能保持稳定的性能，让您的产品从容应对各种苛刻环境。

选择STP10NK50Z，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。它采用经典的TO-220AB封装，易于安装和散热管理，极大地方便了您的生产与维护。虽然该型号已处于停产状态，但其成熟的设计和可靠的性能使其在存量市场及特定延续性项目中依然极具价值。要获取这颗经典芯片或寻找可靠的替代与库存支持，我们建议您咨询专业的ST一级代理，他们能为您提供权威的技术支持和供应链解决方案，确保您的项目顺利推进。让STP10NK50Z成为您提升产品竞争力、赢得市场信赖的可靠伙伴。

• 型号:STP10NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 9A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:39.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1219 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP10NK50Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。