SCTH35N65G2V-7

当您的下一代电源设计面临效率瓶颈与散热挑战时，是否曾渴望一种能同时驾驭高功率与高频率的解决方案？答案就在SCTH35N65G2V-7之中。这不仅仅是一颗MOSFET，它是意法半导体基于前沿碳化硅（SiC）技术打造的功率开关革新者，专为突破硅基器件的物理极限而生。想象一下，在650V的高压下，它能持续承载高达45A的电流，而导通电阻却低至惊人的67毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生，直接为您带来系统效率的显著提升和散热设计的简化。

无论是追求极致功率密度的服务器电源、数据中心的不间断供电系统，还是对效率和可靠性要求严苛的新能源汽车车载充电机（OBC）与光伏逆变器，SCTH35N65G2V-7都能游刃有余。其高达175°C的结温工作能力，确保了在高温恶劣环境下的稳定运行，让您的产品无惧挑战。更快的开关速度意味着您可以在更高的频率下工作，从而显著减小系统中磁性元件（如变压器和电感）的体积和重量，这对于实现设备小型化、轻量化至关重要。选择它，就是为您的电源模块注入了高效、紧凑与可靠的核心基因。

那么，为何在众多功率器件中，SCTH35N65G2V-7是您不容错过的选择？首先，其采用的SiCFET技术代表了未来的方向，相比传统硅基MOSFET，它在高温、高频、高压下的性能优势是全方位的，能直接帮助您的产品在能效标准日益严格的市场上脱颖而出。其次，意法半导体提供的H2PAK-7封装不仅确保了优异的散热性能，其表面贴装形式也完全适配现代化的自动化生产流程，提升您的制造效率。当您需要一个值得信赖的技术伙伴时，专业的ST芯片代理不仅能提供稳定的货源支持，更能为您带来深入的技术洞察和选型指导。从提升百分之几的效率到赢得整个项目的成功，这颗芯片所承载的价值，远超其本身。

• 型号:SCTH35N65G2V-7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-7
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V，20V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:208W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-7
• 封装/外壳:TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
• SCTH35N65G2V-7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。