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TSZ182HYDT

  • 制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器,封装:8-SOIC
  • 技术参数:IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
  • (专注销售ST电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
  • (您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)

TSZ182HYDT参数详情:

在追求极致能效与可靠性的精密测量世界里,您是否还在为信号链中的微小误差而烦恼?想象一下,一个能同时提供超低噪声、超高精度和宽温稳定性的运算放大器,将如何彻底改变您的设计格局。现在,答案就在TSZ182HYDT。这颗来自ST意法半导体的双通道通用运放,专为应对严苛挑战而生,其1V的超低输入失调电压和30pA的输入偏置电流,意味着它能捕捉最微弱的真实信号,同时将误差抑制到几乎可以忽略不计的程度,让您的系统精度跃升到一个全新层级。

无论是汽车引擎控制单元中需要耐受-40°C至150°C剧烈温度波动的传感器信号调理,还是工业自动化场景下由单节锂电池供电的便携式检测设备,TSZ182HYDT都能游刃有余。其2.2V至5.5V的宽电源电压范围,配合满摆幅输出特性,确保了在低压单电源系统中也能获得最大的动态范围,让信号“不失真”地完整传递。在电池管理、压力传感、电机控制等关键应用中,它的稳定表现就是系统可靠性的基石。选择ST中国代理,您不仅能获得这颗高性能芯片,更能得到本地化的技术支持和供应链保障。

为何众多工程师在需要高精度、高可靠性的双运放方案时,会毫不犹豫地选择TSZ182HYDT?因为它不仅仅是一颗符合AEC-Q100车规标准的芯片,更是一个经过市场验证的性能与价值标杆。每通道仅800A的静态电流,在提供3MHz增益带宽积和4.7V/s压摆率强劲性能的同时,实现了出色的能效平衡,特别适合对功耗敏感的长续航设备。其坚固的设计和表面贴装封装,也简化了生产流程,提升了整体制造良率。从原型设计到量产落地,TSZ182HYDT以其全面的卓越性,成为您打造下一代领先产品的强大助力。

  • 型号:TSZ182HYDT
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:8-SOIC
  • 类目:集成电路(IC) > 线性 > 放大器 > 仪器,运算放大器,缓冲器
  • 描述:IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:标准(通用)
  • 电路数:2
  • 输出类型:满摆幅
  • 压摆率:4.7V/s
  • 增益带宽积:3 MHz
  • -3db 带宽:-
  • 电流 - 输入偏置:30 pA
  • 电压 - 输入补偿:25 V
  • 电流 - 供电:800A(x2 通道)
  • 电流 - 输出/通道:29 mA
  • 电压 - 跨度(最小值):2.2 V
  • 电压 - 跨度(最大值):5.5 V
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TA)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SOIC
  • TSZ182HYDT的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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