SCTL35N65G2V

当您的下一代电源设计面临效率瓶颈时，是否曾想过，一颗小小的功率器件，竟能成为系统性能飞跃的关键？今天，我们为您带来答案SCTL35N65G2V，这颗由ST意法半导体精心打造的650V碳化硅功率MOSFET，正以其革命性的性能，重新定义高效能源转换的边界。它不仅仅是一个组件，更是您产品在激烈市场竞争中脱颖而出的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或新能源车载充电器中，能量转换的每一分损耗都意味着成本的增加和竞争力的削弱。SCTL35N65G2V凭借其先进的SiC技术，将导通电阻降至惊人的67毫欧，同时栅极电荷极低。这意味着在高速开关过程中，开关损耗被大幅削减，系统整体效率得以显著提升。无论是追求极致功率密度的紧凑型设计，还是需要在高温环境下稳定运行的严苛应用，它都能游刃有余，让您的设备运行得更凉爽、更安静、更持久。

选择SCTL35N65G2V，就是选择了一份来自未来的技术保障。其高达650V的漏源电压和40A的连续漏极电流，提供了充裕的设计余量和可靠性。PowerFlat HV封装不仅优化了散热性能，其表面贴装形式也完美适配现代自动化生产流程，助力您快速实现产品量产。更重要的是，通过我们值得信赖的ST授权代理，您不仅能获得原厂正品保障和具有竞争力的价格，还能得到从选型支持到技术方案的全方位服务。让我们携手，将这颗高效能芯的潜力，转化为您产品无可比拟的市场优势。

• 型号:SCTL35N65G2V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:67毫欧 @ 20A，20V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:73 nC @ 20 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 400 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:417W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• SCTL35N65G2V的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。