STW18NM80

当您需要构建一个高效、可靠且能应对严苛环境的电源系统时，是否曾为寻找一颗兼具高耐压、低损耗与卓越热性能的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重向您推荐意法半导体MDmesh系列中的明星产品STW18NM80。它不仅仅是一个参数表上的组件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键引擎。这颗采用先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和高达17A的连续漏极电流，为您构筑起一道坚固的电气屏障，让您的电源设计在面对电压浪涌和复杂工况时，依然从容不迫，稳定如山。

想象一下，在工业电机驱动、服务器电源、大功率LED照明驱动以及不断电系统(UPS)这些要求严苛的应用场景中，STW18NM80正发挥着核心作用。它极低的导通电阻（典型值仅295毫欧）意味着更少的导通损耗，直接转化为更高的系统效率和更低的温升。更低的栅极电荷（Qg）则让开关速度更快，开关损耗显著降低，这对于追求高频高效运行的现代开关电源至关重要。无论是应对频繁启停的电机，还是需要持续稳定供电的数据中心，它都能确保能量以最高效的方式转换与传递，让您的终端设备性能更强、寿命更长、运行更安静。

选择STW18NM80，就是选择了一份值得信赖的保障。其坚固的TO-247封装能够承受高达190W的功率耗散，结合150°C的最高结温，提供了充裕的热设计余量，确保在高温环境下长期稳定工作。这意味着您的产品将拥有更出色的可靠性和更宽广的适用范围。我们深知本地化支持的重要性，通过与权威的ST中国代理紧密合作，我们能够为您提供从样品申请、技术咨询到批量供应的全方位服务，确保您从设计到量产的每一步都顺畅无阻。让STW18NM80成为您下一个成功产品的强大心脏，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STW18NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:295 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW18NM80的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。