SCTW70N120G2V

想象一下，您正在设计下一代高效能电源系统，面对日益严苛的能效标准和空间限制，是否在寻找一个既能承载高压大电流，又能将损耗和发热降至最低的解决方案？答案，就蕴藏在SCTW70N120G2V这颗革命性的碳化硅功率器件之中。它不仅仅是一个晶体管，更是通往更高功率密度和极致效率的钥匙，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

得益于先进的SiC技术，SCTW70N120G2V在1200V的高压平台上，实现了仅30毫欧的超低导通电阻，这意味着在相同电流下，它的导通损耗远低于传统硅基方案。更低的损耗直接转化为更少的发热和更高的系统可靠性，让您的电源模块、太阳能逆变器或电动汽车充电桩能够持续稳定地输出澎湃动力，同时显著降低散热系统的复杂度和成本。其高达91A的连续电流能力和547W的功率耗散上限，为应对峰值功率需求提供了充足的余量，确保系统在严苛工况下依然游刃有余。

这颗芯片的价值，在诸多高要求场景中得以淋漓尽致地展现。无论是追求极致效率的服务器电源和数据中心供电单元（PSU），还是需要高功率密度和快速开关的工业电机驱动与不间断电源（UPS），SCTW70N120G2V都能凭借其优异的性能，帮助您缩小产品体积、提升功率等级。在新能源领域，如光伏逆变器和储能系统（ESS）中，它的高耐压和低损耗特性，能够有效提升能量转换效率，捕获每一份宝贵的绿色能源。选择它，就是选择为您的产品注入领先一代的“芯”动力。

为何众多领先企业将SCTW70N120G2V作为其高端设计的首选？理由清晰而有力。首先，它代表了ST意法半导体在宽禁带半导体领域的深厚积累，HiP247封装技术确保了卓越的散热性能和机械可靠性。其次，其宽泛的工作温度范围（-55°C至200°C）赋予了产品无与伦比的环境适应性。更重要的是，通过与值得信赖的ST代理商合作，您不仅能获得稳定可靠的货源和具有竞争力的价格，还能得到专业的技术支持与选型指导，确保这颗强大的“芯”能在您的系统中发挥出百分之百的潜力。立即行动，让SCTW70N120G2V成为您打造下一代标杆产品的核心引擎。

• 型号:SCTW70N120G2V
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:HiP247
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:SiCFET（碳化硅）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):91A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 50A，18V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.9V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 18 V
• Vgs（最大值）:+22V，-10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3540 pF @ 800 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:547W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 200°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:HiP247
• 封装/外壳:TO-247-3
• SCTW70N120G2V的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。