SGSD200

当您的工业设备需要处理大功率负载时，是否曾为寻找一颗既能承受高电流冲击，又能保持稳定高效运行的功率晶体管而烦恼？今天，我们为您带来一个久经市场考验的经典解决方案SGSD200。这颗来自ST意法半导体的PNP达林顿晶体管，以其高达25A的集电极电流和80V的击穿电压，专为应对严苛的工业环境而生，是您构建可靠动力系统的坚实基石。

想象一下，在自动化生产线的大型电机驱动电路中，或者在需要稳定控制的重型电源管理模块里，SGSD200正默默发挥着核心作用。它高达130W的最大功率处理能力，配合TO-247-3的坚固封装，确保了在持续高负荷工作下的卓越散热性能和物理可靠性。其极低的集电极截止电流（仅500A）意味着更小的静态功耗，而高达500的直流电流增益（hFE）则让您的控制信号能够轻松、精准地驱动强大的负载，实现以小博大的高效能转换。

选择SGSD200，就是选择了一份源自ST意法半导体的品质传承与性能保证。尽管该型号已处于停产状态，但其卓越的设计和广泛的市场验证，使其成为许多经典或长生命周期设备维护、升级以及特定高可靠性设计中的珍贵选择。我们作为专业的ST芯片代理，深知这类经典器件的价值，致力于为您提供可靠的供应渠道和技术支持，确保您的项目无论新旧，都能获得最匹配、最稳定的核心组件。让这颗强大的“工业心脏”，继续为您的设备注入澎湃而可靠的原动力。

• 型号:SGSD200
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS PNP DARL 80V 25A TO-247-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:PNP - 达林顿
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:25 A
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:80 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:3.5V @ 80mA，20A
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500A
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:500 @ 10A，3V
• 功率 - 最大值:130 W
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247-3
• SGSD200的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。