STB10N95K5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，工程师们是否常常面临高压、高功率密度与系统稳定性的平衡难题？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STB10N95K5。这颗来自ST意法半导体SuperMESH5家族的N沟道MOSFET，以其950V的惊人耐压和仅为800毫欧的超低导通电阻，重新定义了高压开关的性能标杆。它不仅是一颗晶体管，更是您构建坚固、高效能源转换系统的信心基石。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明镇流器中，系统需要在严苛环境下长时间稳定运行。STB10N95K5正是为此而生。其高达8A的连续漏极电流和130W的强大功率处理能力，让它在处理浪涌电流和瞬时过载时游刃有余，有效降低了热设计压力。表面贴装的D2PAK封装不仅节省了宝贵的PCB空间，其优异的散热特性更能确保芯片在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作，从容应对从寒冷仓储到高温车间的各种挑战。

选择STB10N95K5，意味着您选择了经过市场验证的卓越品质与前瞻性技术。SuperMESH5技术带来的极低栅极电荷（仅22nC）和输入电容，显著降低了开关损耗，让您的系统效率轻松攀升，同时简化了驱动电路设计。无论是升级现有产品还是开发下一代高性能电源，它都能提供您所需的性能余量与可靠性保障。如需获取样品或技术支持，我们的合作伙伴ST代理将为您提供专业、及时的服务。让STB10N95K5成为您产品竞争力的强大引擎，共同开启高效、可靠的能源新纪元。

• 型号:STB10N95K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:630 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB10N95K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。