STB11N52K3

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为高压开关应用中的损耗与散热问题而困扰？现在，答案来了。让我们向您隆重介绍意法半导体SuperMESH3家族的杰出代表STB11N52K3。这颗N沟道功率MOSFET，以其高达525V的漏源电压和10A的连续漏极电流能力，为您的高压电路筑起一道坚固而高效的屏障。它不仅仅是一个开关，更是您提升系统整体性能、降低运营成本的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或电机驱动控制板中，STB11N52K3正扮演着核心角色。其卓越的SuperMESH3技术，将导通电阻（RDS(on)）在5A、10V条件下控制在仅510毫欧的超低水平，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是工业照明驱动、家电变频控制，还是各类离线式电源转换器，它都能让能量流动得更顺畅，让您的设备运行得更冷静、更持久。选择它，就是为您的产品注入了高效与稳定的基因。

为何众多工程师在面临高压、高电流挑战时，会信赖并选择STB11N52K3？理由清晰而有力。首先，其极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），显著降低了开关损耗，让高频开关操作变得轻松自如，从而助力设计出更紧凑、功率密度更高的解决方案。其次，宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和坚固的D2PAK封装，确保了它在严苛环境下的卓越可靠性和强大的功率耗散能力。当您需要稳定可靠的供应链与专业的技术支持时，我们的合作伙伴专业的ST代理将为您提供从选型到量产的全方位服务。选择STB11N52K3，不仅是选择了一颗高性能的芯片，更是选择了一个值得信赖的解决方案，它将直接转化为您产品在市场上的竞争力与用户口碑。

• 型号:STB11N52K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:525 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:510 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:51 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB11N52K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。