STH52N10LF3-2AG

在追求极致效率的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和散热问题而妥协性能？当您的设计需要在高频、高功率场景下稳定运行时，一款能够同时兼顾低导通电阻、快速开关特性和卓越热管理能力的MOSFET，就是您突破瓶颈的关键。今天，我们向您隆重介绍来自意法半导体的明星产品STH52N10LF3-2AG，它正是为满足您对高效能与高可靠性的严苛要求而生。

想象一下，在服务器电源单元中，能量转换的每一个瞬间都至关重要；在工业电机驱动器中，每一次精准的启停都关乎生产效率；在新能源车的车载充电机(OBC)或DC-DC转换器中，紧凑空间内的稳定大电流处理能力直接决定了用户体验。STH52N10LF3-2AG凭借其100V的耐压和高达52A的连续电流能力，轻松驾驭这些核心应用。其采用的先进STripFET F3技术，将导通电阻(RDS(on))在10V驱动下压低至仅20毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的发热，让您的系统在满负荷运行时依然保持“冷静”，显著提升整体能效和功率密度。

选择STH52N10LF3-2AG，就是选择了一份从容与自信。其优化的栅极电荷(Qg)特性确保了快速且干净的开关行为，这不仅减少了开关损耗，还简化了驱动电路的设计，让您的高频开关电源设计变得更加高效和稳定。宽泛的工作温度范围(-55°C至175°C结温)和坚固的H2PAK-2封装，提供了出色的热性能和机械可靠性，确保产品即使在最恶劣的环境下也能长久稳定运行。当您需要可靠的供应链和技术支持时，我们的专业ST芯片代理团队将随时为您提供从选型到量产的全方位服务。这不仅仅是一颗MOSFET，更是您提升产品竞争力、赢得市场先机的强大引擎。

• 制造商产品型号：STH52N10LF3-2AG
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET F3
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：52A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 26A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：18.5nC @ 5V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 400V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：H2Pak-2
• STH52N10LF3-2AG的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。