STGWA30HP65FB2

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否正在寻找一颗能在650V高压下稳定输出、同时兼顾低损耗与快速响应的核心开关器件？答案就在STGWA30HP65FB2。这颗来自意法半导体HB2系列的王牌IGBT，凭借其先进的沟槽型场截止技术，将集电极最大电流推至50A，峰值脉冲电流更可达90A，却能将饱和压降（Vce(on)）在30A电流下牢牢控制在仅2.1V的超低水平。这意味着更少的热量产生，更高的系统效率，直接为您转化为更低的运营成本和更强的产品竞争力。

想象一下，无论是工业电机驱动中需要频繁启停与变速的严苛环境，还是不断追求功率密度与可靠性的UPS不间断电源和太阳能逆变器，甚至是要求高效电能转换的焊接设备，STGWA30HP65FB2都能游刃有余。其高达167W的功率处理能力，配合-55°C至175°C的宽广结温工作范围，确保了从酷寒到炎热的极端气候下依然稳定如初。通孔TO-247-3封装不仅提供了卓越的散热路径，也简化了您的PCB设计和组装流程。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，专业的ST代理商将是您坚实的后盾。

选择STGWA30HP65FB2，不仅仅是选择了一颗参数优秀的芯片，更是选择了一套经过市场验证的高性能解决方案。它标准化的输入特性让驱动电路设计变得轻松，而仅71纳秒的关断延迟时间（Td(off)）与140纳秒的反向恢复时间，共同保障了系统的高速开关性能，有效降低开关损耗，提升整体频率响应。这颗“有源”状态的明星产品，正等待着为您的下一个创新项目注入强劲而高效的动力核心，助您轻松驾驭高压高电流应用，打造出更节能、更紧凑、更可靠的终端产品。

• 型号:STGWA30HP65FB2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247 长引线
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 50A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:50 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):90 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:167 W
• 开关能量:-
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:90 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/71ns
• 测试条件:400V，30A，6.8 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):140 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-3
• 供应商器件封装:TO-247 长引线
• STGWA30HP65FB2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。