STB12NM50FDT4

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更紧凑的功率模块时，是否曾为寻找一颗兼具高性能与高可靠性的开关器件而烦恼？今天，我们为您带来的STB12NM50FDT4，正是意法半导体FDmesh系列中的一颗明星产品，它将以500V的耐压和12A的连续电流能力，重新定义您对功率密度的想象。这颗采用先进平面工艺的N沟道MOSFET，不仅拥有极低的导通电阻，更能确保在严苛的开关环境中稳定运行，是您提升整机效率、缩小产品体积的得力助手。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或是高功率LED照明系统中，STB12NM50FDT4能够轻松应对高频开关带来的挑战。其优异的栅极电荷和输入电容特性，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统在高效与节能之间找到完美平衡。无论是面对功率因数校正（PFC）电路中的硬开关，还是LLC谐振拓扑中的软开关，它都能游刃有余，确保能量以最小的损耗进行转换。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。

为什么众多工程师在关键设计中信赖STB12NM50FDT4？答案在于其背后强大的技术底蕴与卓越的性能表现。FDmesh技术带来了更优的品质因数，确保在高压大电流下依然保持低温升。其坚固的D2PAK封装提供了出色的散热能力和机械强度，非常适合要求严苛的工业环境。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的应用验证以及市场上充足的库存，使其依然是许多经典和延续性项目的理想选择。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST一级代理进行采购，为您的项目成功加上一道可靠的保险。

• 型号:STB12NM50FDT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB12NM50FDT4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。