STB12NM50ND

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和系统温升而烦恼？当500V高压应用需要兼顾高可靠性与紧凑设计时，STB12NM50ND的出现，正是为了终结这种两难选择。这颗基于意法半导体先进FDmesh II技术打造的N沟道MOSFET，以其卓越的电气性能，正在重新定义中高压功率转换的效率和密度边界。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明系统中，它能够轻松应对严苛的开关环境。高达11A的连续漏极电流承载能力和500V的漏源击穿电压，为系统提供了坚固的安全余量。而其核心魅力在于极低的导通电阻在10V驱动下仅380毫欧，这意味着更少的导通损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了快速的开关瞬态，进一步削减了开关损耗，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的能效表现脱颖而出。

选择STB12NM50ND，就是选择了一份经过验证的可靠性。其D2PAK封装不仅提供了优异的散热性能和机械强度，适合自动化表面贴装生产，更能确保在高达150°C结温下稳定工作。无论是用于提升现有产品线的性能，还是开发下一代高效能电源方案，它都能成为您设计中值得信赖的功率开关核心。我们作为专业的ST一级代理，不仅能提供稳定可靠的货源，更能为您提供深度的技术支持和选型指导，帮助您将这颗芯片的潜力转化为产品的实际市场优势。让STB12NM50ND的强大动力，驱动您的创意走向成功。

• 型号:STB12NM50ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:850 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB12NM50ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。